硅棒：

硅棒外型应无裂纹、崩边、凹坑。
导电类型：P型
单晶晶向：﹤100﹥±3°
电阻率：0.5-3Ωcm
直径: 153mm
长度: ≥100mm, 根据客户要求
少子寿命≥10μs
氧含量： ≤1.0 × 1018atoms/cm3
碳含量： ≤20 × 1016atoms/cm3
位错密度：: ≤3000 个 /cm2

硅片：

1. 外形尺寸
1.1 直径 :150 土0.5mm
1.2 厚度 :210 土20 μm
1.3 尺寸:125土0.5mm
1.4 总厚度变化 :≤0.03mm

2. 技术参数
2.1 导电参数 :P 型
2.2 电阻率 :0.5-3Ω.cm
2.3 少子寿命 : ≥ 10 μ s
2.4 氧含量 : ≤1.0 × 1018atoms/cm3
2.5 碳含量 : ≤20 × 1016atoms/cm3
2.6 晶向 : 〈100〉± 1.50
2.7 位错密度 : ≤3000 个/cm2

3. 产品用途 :
本产品适用于制造高转换效率太阳能电池片。
一个广泛的质量体系用来保证产品满足顾客要求。设定程序严格控制并监测硅片关键参数，如：
薄片厚度
总厚度误差（TTV）
电阻系数
少数载流子寿命